為什么nand flash系統(tǒng)運(yùn)行一段時(shí)間后出現(xiàn)大量壞塊打��？

eliry

nand flash是三星的一款小頁(yè)flash，采用的是yaffs文件系統(tǒng)，程序運(yùn)行時(shí)很少寫(xiě)flash，所以可以排除經(jīng)常擦寫(xiě)導(dǎo)致nand壽命到期的可能，但出現(xiàn)大量壞塊后重寫(xiě)燒寫(xiě)文件系統(tǒng)又恢復(fù)正常沒(méi)有壞塊打印提示，不知大家有沒(méi)遇到這種情況，該如何解決？

arm-linux-gcc

是壞塊？還是"Partially written block xx detected"？
如果是后者，那么yaffs文件系統(tǒng)不要直接斷電，要用poweroff，你下次啟動(dòng)就不會(huì)有Partially written block xx detected的打印了

eliry

arm-linux-gcc 發(fā)表于 2014-01-02 21:29
是壞塊？還是"Partially written block xx detected"？
如果是后者，那么yaffs文件系統(tǒng)不要直接斷電，要用 ...

是壞塊打印，內(nèi)核啟動(dòng)時(shí)大量的“block xxx is bad”的打印。

backupyan

我也遇到這個(gè)問(wèn)題，導(dǎo)致我存儲(chǔ)在NAND FLASH中幾十兆的數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)容無(wú)法被程序使用。出現(xiàn) disk I/O error。
在arm9.net的論壇上有人說(shuō)可以低格 NAND FLASH解決。
我無(wú)恥的懷疑是yaffs文件系統(tǒng)有問(wèn)題吧！

arm-linux-gcc

換ubifs吧，yaffs感覺(jué)不靠譜

linyunxian

一般重新燒寫(xiě)文件系統(tǒng)就會(huì)檢測(cè)壞塊，把壞塊繞過(guò)去～

eliry

arm-linux-gcc 發(fā)表于 2014-01-03 16:08
換ubifs吧，yaffs感覺(jué)不靠譜

我也覺(jué)得yaffs不靠譜，但用的內(nèi)核版本太低不支持ubifs，芯片沒(méi)有高版本內(nèi)核支持，苦悶！

zhj1011

執(zhí)行flash_erase   nand分區(qū)  試試。

eliry

回復(fù) 8# zhj1011


    這個(gè)辦法不是長(zhǎng)久之計(jì)啊